晶体硅光伏（PV）方阵I-V特性的现场测量方案主要包括以下步骤：

1. 设备准备：首先，需要准备相关的测试设备，包括数据采集系统、光源系统、温度控制系统以及数据处理软件等。这些设备将分别负责实时采集光伏方阵的电流和电压数据、提供稳定的光照条件、确保测试过程中的温度稳定以及处理和分析采集到的数据。
2. 测试环境设置：在测试前，需要确保测试环境符合相关标准和要求。光源系统应提供稳定的光照条件，温度控制系统应确保测试过程中的温度稳定。
3. 方阵连接与校准：将待测的光伏方阵与测试设备连接，并进行必要的校准，确保测试结果的准确性。
4. 数据采集：启动数据采集系统，开始实时采集光伏方阵的电流和电压数据。确保数据采集的准确性和实时性，以便后续分析和处理。
5. 数据分析与处理：利用数据处理软件对采集到的数据进行分析和处理，生成I-V曲线和性能参数报告。通过分析I-V曲线，可以评估方阵的性能参数，如短路电流、开路电压、填充因子和转换效率等。
6. 结果评估与报告：根据分析结果，评估光伏方阵的性能状况。如果发现性能问题或异常，需要进行进一步的故障诊断和处理。最后，编写测试报告，记录测试过程、结果和评估结论。

在整个测试过程中，应确保测试设备的准确性和可靠性，遵循相关的测试标准和规范。同时，注意测试过程中的安全事项，确保人员和设备的安全。

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